Macronix sẽ thông báo chi tiết về cấu trúc chip NAND 3D mới, có tên Kênh dọc đơn cổng (SGVC – single-gate vertical channel). Thông tin sẽ được giới thiệu tại Hội thảo thiết bị điện tử quốc tế IEEE 2017 (IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), tổ chức tại San Francisco, Mỹ.

Theo đó, chip 3D NAND Flash 128Gb MLC (hay 192Gb TLC) sử dụng cấu trúc SGVC chỉ cần 16 lớp. Mật độ lưu trữ đó có thể sánh ngang với các chip 3D NAND 48 lớp có cấu trúc đa cổng Gate-All-Around (GAA).

SGVC có ưu thế rất lớn về kích thước, khi đạt được các cell nhỏ hơn nhiều và cho phép khoảng trống nhỏ hơn, dẫn đến có thể chế tạo các thiết bị lưu trữ mật độ rất cao, với số lớp chồng lên nhau ít hơn nhiều lần.

Các chip 3D NAND SGVC sử dụng mảng các transistor TFT cell phẳng, đơn cực, xếp theo chiều dọc với một lớp vỏ siêu mỏng bao ngoài, khiến cho nó không bị phạm vào các giới hạn kích thước như các linh kiện GAA, và rất thích hợp cho những ứng dụng lưu trữ cần ưu tiên việc đọc dữ liệu.

Hiện chưa rõ thiết kế mới có được đưa vào sản xuất đại trà sớm được không, nhưng về mặt công nghệ, nó là rất khả thi.