Samsung mới thông báo họ đã chuẩn bị đầy đủ để đi vào sản xuất số lượng lớn trên công nghệ 10nm FinFET thế hệ thứ 2, chuyển đổi từ 10nm LPE (Low Power Early) sang 10nm LPP (Low Power Plus).

Mặc dù không có thêm thông tin chi tiết, Samsung tuyên bố rằng 10nm LPP sẽ mang lại hiệu năng cao hơn 10% hay tiết kiệm năng lượng hơn 15% so với 10nm LPE. Hãng cũng cho biết công nghệ tiến trình 10nm FinFET thế hệ 2 sẽ giúp giảm thời gian từ nghiên cứu phát triển đến lúc sản xuất hàng loạt, vào mang lại lợi nhuận sản xuất lớn hơn đáng kể.

Theo Ryan Lee, phó chủ tịch mảng Foundry Marketing của Samsung Electronics, công ty sẽ có khả năng phục vụ khách hàng tốt hơn khi có thể chuyển đổi dây chuyền từ 10nm LPE lên 10nm LPP với hiệu năng được cải thiện và lợi nhuận tốt hơn, đồng thời sẽ tiếp tục làm việc để tiến tới tiến trình 8nm LPP.

Samsung cũng tranh thủ thông báo luôn dây chuyền sản xuất S3 của mình tại Hwaseong, Hàn Quốc, nơi đã sẵn sàng cho tiến trình 10nm và thấp hơn, cũng như tiến trình 7nm FinFET EUV (Extreme Ultra Violet) trong tương lai.